1994-1996年在美国宾州州立大学材料研究所博士后学习，交两之后任材料研究所研究助理教授。

然而，改电MXene基芯片式微型超级电容器还处于初期的研究中。表电(b)20mVs-1扫速下的CV曲线。

力人(d)不同电流密度下的GCD曲线。近年来，员上随着物联网技术和无线通信技术的逐渐成熟，各种无线传感器件、便携和可穿戴电子设备得到了快速的发展。门私(e-f)正负电极的形貌和厚度截面SEM图。

因此，交两提高MXene基芯片式微型超级电容器的电压窗口，才能更有效地储存能量，拓宽其应用范围。改电【论文链接】High-voltageasymmetricMXene-basedon-chipmicro-supercapacitors. NanoEnergy (2020):104928.https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2020.104928 。

表电(d)芯片式MSCs叉指指间间隙的宽度SEM图。

然而，力人电压窗口低和能量密度低的问题，始终限制着它的进一步应用。据悉，员上FOVE将在2016年秋季发货开发者版本

（e）单根CuNW的TEM图像，门私显示[1-10]的拉长方向。交两相关成果以CuNanowiresPassivatedwithHexagonalBoronNitride-AnUltra-Stable,SelectivelyTransparentConductor发表于ACS Nano上。

作者认为，改电通过这种技术，改电h-BN或其它二维材料可以通过直接封装和与Cu-NWs的紧密结合得到更为灵活地展现出优异性能，其有望在先进光电器件和现代智能建筑中得到广泛的应用。这些严格条件可能包括高电流、表电高温、高机械强度、高光强度或高频率。